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陈立山

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电阻
  • 2篇离子
  • 2篇离子注入
  • 2篇离子注入工艺
  • 2篇ESD防护
  • 2篇MOS器件

机构

  • 2篇上海集成电路...

作者

  • 2篇肖慧敏
  • 2篇曹永峰
  • 2篇周伟
  • 2篇王全
  • 2篇俞柳江
  • 2篇陈立山

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
用于ESD防护的MOS器件的形成方法
本发明公开了一种用于ESD防护的MOS器件的形成方法，通过与该MOS器件类型相反的另一MOS器件的源/漏区的离子注入工艺，对形成该MOS器件的镇流电阻的区域进行反向注入，从而最终降低该区域的离子注入浓度，进而在不增加工艺...
俞柳江王全曹永峰周伟顾学强肖慧敏陈立山
用于ESD防护的MOS器件的形成方法
本发明公开了一种用于ESD防护的MOS器件的形成方法，通过与该MOS器件类型相反的另一MOS器件的源/漏区的离子注入工艺，对形成该MOS器件的镇流电阻的区域进行反向注入，从而最终降低该区域的离子注入浓度，进而在不增加工艺...
俞柳江王全曹永峰周伟顾学强肖慧敏陈立山
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