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叶虹

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 4篇量子阱结构
  • 4篇半导体
  • 3篇铋
  • 2篇导体
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇势垒
  • 2篇热稳定
  • 2篇热稳定性
  • 2篇量子
  • 2篇量子结构
  • 2篇缓冲层
  • 2篇半导体材料
  • 2篇半导体量子阱
  • 2篇III-V族
  • 2篇波长
  • 1篇势阱
  • 1篇微米
  • 1篇小半径

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇叶虹
  • 7篇王庶民
  • 7篇顾溢
  • 7篇宋禹忻
  • 2篇张永刚

年份

  • 2篇2016
  • 5篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法
本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束...
王庶民顾溢宋禹忻叶虹
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一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构及其制备方法
本发明涉及一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构及其制备方法，所述的量子阱结构的势垒层中含有铋元素；其制备方法以GaAsBi量子阱为例，包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；（2）生长AlGaAsBi势垒层；（...
王庶民顾溢宋禹忻叶虹
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InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备
本发明涉及一种InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备方法，该探测器结构由下而上依次包括：InP衬底、高掺杂n型InP缓冲层、吸收层和高掺杂p型InP帽层，所述的吸收层为低掺杂n型In<Su...
顾溢王庶民张永刚宋禹忻叶虹
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基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法
本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束...
王庶民顾溢宋禹忻叶虹
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一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法
本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原...
王庶民顾溢宋禹忻叶虹
GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法
本发明涉及一种GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法，该量子阱结构采用In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As<Sub>1-y</Sub>Bi<Sub>y</Sub>作为量子...
王庶民顾溢张永刚宋禹忻叶虹
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一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法
本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原...
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