廖国
- 作品数：7 被引量：24H指数：4
- 供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
- 发文基金：四川省教育厅资助科研项目更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 溅射功率对Mo薄膜微结构和性能的影响被引量：10
- 2011年
- 实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐增大。X射线衍射分析表明薄膜呈立方多晶结构,晶粒尺寸为14.1～17.9nm;应力先随溅射功率的增大而增大,在40W时达到最大值(2.383GPa),后随溅射功率的增大有所减小。
- 廖国何智兵陈太红许华李俊谌加军唐永建
- 关键词：直流磁控溅射MO薄膜溅射功率表面形貌X射线衍射
- 射频功率对辉光聚合物薄膜结构与光学性质的影响被引量：5
- 2012年
- 采用三倍频射频辉光放电聚合技术,利用低压等离子聚合装置在不同功率条件下制备辉光放电聚合物(GDP)薄膜.利用表面轮廓仪、Fourier变换红外光谱仪表征所制备薄膜在不同功率下的生长速率和化学结构,讨论了功率变化对薄膜生长速度和化学结构的影响.利用元素分析仪和紫外可见光谱仪表征GDP薄膜中碳氢原子比和光学性质.研究表明:薄膜的生长速率随射频功率的增大先增加后减少,功率为40 W时,生长速率可达到0.34μm/h.在波长大于500 nm的可见光区,GDP薄膜的光学透过率都在90%以上.GDP薄膜的光学问隙随射频功率的增大先减少后增加,射频功率为50 W时制备GDP薄膜的光学间隙最小.
- 牛忠彩何智兵张颖韦建军廖国杜凯唐永建
- 关键词：沉积速率光学性质
- 溅射功率对磁控溅射制备Bi薄膜结构和性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用直流磁控溅射方法在不同功率下制备了铋(Bi)薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、生长模式、晶体结构进行了研究,并对其晶粒尺寸和应力的变化规律进行了分析。扫描电镜(SEM)图像显示:薄膜均为柱状生长,平均晶粒尺寸随溅射功率先增大后减小,薄膜的致密度随着功率的增加而降低,在60W时又变得较致密。X射线衍射(XRD)结果表明:Bi薄膜均为多晶斜六方结构,薄膜内应力随功率的增加由张应力变为压应力。
- 廖国何智兵陈太红许华李俊谌加军
- 关键词：直流磁控溅射溅射功率
- B掺杂对Ti薄膜结构与性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用双靶共溅射方法制备了微量B掺杂的Ti薄膜样品,利用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的掺杂原子浓度、表面形貌、晶型结构、晶粒尺寸和应力进行了分析表征.研究表明:掺杂后的Ti薄膜晶粒得到明显细化,并随着掺杂浓度的增大,薄膜的晶粒尺寸呈减小趋势,当掺杂浓度为5.50 at%时,Ti薄膜晶粒尺寸减小为1.3 nm,呈现出致密的柱状结构.B掺杂后的Ti薄膜应力由压应力转变为张应力.
- 张玲何智兵廖国谌家军许华李俊
- 工作气压对磁控溅射Mo膜的影响被引量：4
- 2011年
- 采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1～0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5～1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加;不同工作气压下制备的Mo膜为立方结构,在较低工作气压下薄膜结晶性能较好。
- 廖国王冰张玲牛忠彩张志娇何智兵杨晓峰李俊许华陈太红曾体贤谌家军
- 关键词：直流磁控溅射MO薄膜工作气压沉积速率表面形貌
- Cu掺杂Ti薄膜的制备与表征
- 采用双靶共溅射方法制备了微量Cu掺杂的Ti薄膜样品,利用X射线荧光(XRF)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品的表面形貌、晶型结构、晶粒尺寸和应力进行了分析。研究发现:掺杂后...
- 许华何智兵廖国李俊刘艳松
- 关键词：CU掺杂表面形貌XRD直流磁控溅射
- 文献传递
- 工作气压对Bi薄膜沉积速率和表面形貌的影响
- 2011年
- 采用直流磁控溅射方法在不同工作气压下制备了Bi薄膜,对薄膜的晶体结构、沉积速率、表面形貌和生长模式进行了研究,并对其晶粒尺寸的变化规律进行了分析。X射线衍射(XRD)结果表明Bi薄膜均为多晶斜六方结构。研究发现沉积速率随工作气压的升高先增大后减小。扫描电镜(SEM)图像显示随着工作气压的升高,小晶粒尺寸增大、大尺寸晶粒逐渐消失,薄膜变得疏松多孔;薄膜经历柱状-节榴状-楔形3种生长方式。
- 廖国何智兵杨晓峰陈太红许华李俊谌加军
- 关键词：直流磁控溅射工作气压沉积速率表面形貌
