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朱诚

作品数：8 被引量：26H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电池
  • 4篇太阳电池
  • 3篇化合物半导体
  • 3篇光伏
  • 3篇半导体
  • 3篇INGAP/...
  • 2篇多结太阳电池
  • 2篇隧道结
  • 2篇探测器
  • 2篇I-V特性
  • 1篇电流
  • 1篇电子学
  • 1篇短波红外
  • 1篇性能分析
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿电流
  • 1篇偏压
  • 1篇气态源分子束...
  • 1篇温度特性
  • 1篇量子级联

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇朱诚
  • 8篇李爱珍
  • 8篇张永刚
  • 4篇胡雨生
  • 4篇刘天东
  • 3篇南矿军
  • 3篇顾溢
  • 3篇洪婷
  • 2篇郝国强
  • 1篇何友军
  • 1篇李存才
  • 1篇胡建
  • 1篇朱福英
  • 1篇张雄
  • 1篇徐刚毅
  • 1篇李华
  • 1篇林春

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇稀有金属
  • 1篇太阳能学报

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
InGaP/GaAs双结太阳电池
本文报道了我们设计研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在22%～24%之间（1AM0,28℃）,填充因子约80%。文中对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。
张永刚刘天东胡雨生朱诚南矿军洪婷李爱珍
关键词：光伏化合物半导体INGAP/GAAS
文献传递
短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制被引量：13
2006年
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.
张永刚顾溢朱诚郝国强李爱珍刘天东
关键词：光伏探测器短波红外INGAAS气态源分子束外延
气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)被引量：4
2006年
从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善.
郝国强张永刚顾溢李爱珍朱诚
关键词：光电子学光电探测器温度特性
InP基中远红外量子级联激光器材料与器件
李爱珍张永刚徐刚毅林春李华李存才胡建胡雨生张雄南矿军何友军顾溢朱诚
该课题基于自主发展的12项国家发明专利， 将能带波函数量子工程与气态源分子束外延(GSMBE)单原子层生长相结合,设计了具有自主知识产权的中红外波段磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构; 建立了自主知识的35-100级含4...
关键词：
关键词：量子级联激光器
InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制被引量：1
2004年
研制了InGaP/GaAs串接太阳电池 ,结果表明 ,电池的转换效率在 2 1%～ 2 4%之间 ( 1AM0 ,2 8℃ ) ,填充因子在 79%～ 81%之间 ,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论。
张永刚刘天东朱诚洪婷胡雨生朱福英李爱珍
关键词：光伏化合物半导体INGAP/GAAS
隧道结在多结太阳电池中的应用被引量：8
2004年
主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度的提高 ,峰值电流密度逐渐增大 ;对于GaInP/GaAs太阳电池 ,隧道结采用GaInP材料比采用GaAs材料性能要好的多。
朱诚张永刚李爱珍
关键词：隧道结隧穿电流I-V特性
InGaP/GaAs双结太阳电池的研制被引量：3
2004年
报导了自行研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在21%～24%之间(1AM0,28℃),填充因子在79%～82%之间。文中对其材料结构设计、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。
张永刚刘天东胡雨生朱诚南矿军洪婷李爱珍
关键词：光伏化合物半导体INGAP/GAAS
隧道结在多结太阳电池中的应用
目前多结太阳电池器件广泛采用隧道结连接各分电池,隧道结的电学和光学特性对太阳电池性能的影响相当重要。本文主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研...
朱诚张永刚李爱珍
关键词：隧道结I-V特性
文献传递
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