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段铖宏

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇配接
  • 2篇屏蔽罩
  • 2篇冷却水管
  • 2篇溅射
  • 2篇法兰
  • 2篇超高真空
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇氮化镓
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇厚膜
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇HVPE

机构

  • 3篇中国科学院合...

作者

  • 3篇段铖宏
  • 2篇姬长建
  • 2篇李新化
  • 2篇邱凯
  • 2篇曹先存
  • 2篇尹志军
  • 2篇韩奇峰
  • 2篇王玉琦

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶
本发明公开了一种超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶。它包括贯穿安装法兰(1)的、与靶屏蔽罩(3)内的水冷腔部件(5)相连接的冷却水管(6)，特别是(a)冷却水管(6)经冷却水管密封部件(2)与安装法兰(1)相连接；(b)水冷...
邱凯韩奇峰姬长建曹先存段铖宏尹志军李新化王玉琦
文献传递
超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶
本发明公开了一种超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶。它包括贯穿安装法兰(1)的、与靶屏蔽罩(3)内的水冷腔部件(5)相连接的冷却水管(6)，特别是(a)冷却水管(6)经冷却水管密封部件(2)与安装法兰(1)相连接；(b)水冷...
邱凯韩奇峰姬长建曹先存段铖宏尹志军李新化王玉琦
文献传递
氮化镓厚膜的HVPE制备及相关问题的研究
宽禁带III-V族氮化物半导体材料在短波段发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面有着广阔应用前景。本论文在系统总结了国内外GaN材料制备的研究历史和现状的基础上，利用我们自行开发设计的热壁立式外延设备，...
段铖宏
关键词：半导体材料晶体生长光学性能
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