赵慧
- 作品数：25 被引量：12H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- C^(3)⊗C^(d)系统中的纠缠见证优化
- 2022年
- 利用纠缠见证的定义和算子半正定的充要条件,得到C^(3)⊗C^(d)量子系统中厄米算子(W)是纠缠见证的充要条件.把C^(3)⊗C^(d)中W表示为分块矩阵,利用子块之间的关系,得到对任意可分态(ρ_(sep)),W是正算子的充要条件.对纠缠见证进行非线性改进,得到仅对部分可观测量进行测量,便能判别量子态是否纠缠的条件,并用例子验证,非线性改进后的纠缠见证能够判别出更多的纠缠态,优于其他文献中的纠缠见证.
- 赵慧杨玉
- 关键词：纠缠密度矩阵混合态
- 金硅共晶键合在微机械Golay-cell红外探测器中的应用被引量：1
- 2005年
- 利用硅微机械加工技术制备微机械Golay-cell红外探测器硅可动敏感薄膜,探测器气室由带薄膜结构硅片与带孔结构硅片键合密闭形成,气室中敏感气体吸收红外辐射而膨胀,使硅膜产生形变,借助硅膜电极板与金属电极板形成的平行板电容反映该形变变化量.运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si实现对探测器的金/硅共晶键合封装,形成气室,制备出探测器样品并初步得到响应.该键合方法能够进行选择区域键合,实验证明键合强度达到体硅强度.
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- 关键词：红外探测器共晶键合
- 硅片低温直接键合方法
- 硅片低温直接键合方法，属半导体直接键合领域。现有技术处理过的硅片仍需450℃以上的热处理，而高温会改变硅片的杂质分布，热膨胀会带来应力，损伤硅片上的微细结构，有IC存在并有铝引线时，温度超过铝硅共晶点引起器件失效。本发明...
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- 文献传递
- 一种新颖的低温硅片直接键合技术
- 提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法。硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度。
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- 关键词：等离子体
- 文献传递
- 键合技术在微机械Golay-cell红外探测器中的应用被引量：2
- 2006年
- 介绍多种硅片键合技术及其在基于高莱盒(Golay-cell)原理的微机械红外探测器中的应用。对多种键合方法在该器件中的实验结果进行比较,确定了现阶段最优的键合方法,即采用局部电场屏蔽方法的阳极键合方法,键合成功率在90%以上,并初步实现了器件的标准化制作。
- 赵林林徐晨赵慧霍文晓沈光地
- 关键词：微电子机械系统红外探测器键合
- 一种适用于薄膜结构的静电键合方法
- 2005年
- 针对带弹性敏感薄膜结构的微机械器件的硅/玻璃静电键合,介绍了一种有效的方法--局部电场屏蔽法,在键合过程中屏蔽弹性敏感薄膜所在位置的电场,使薄膜结构不受静电力的影响,从根本上解决了薄膜受静电吸引力而产生形变,与玻璃贴合甚至破裂的问题,大大提高了成品率.
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- 关键词：MEMS
- 基于FIB加工技术研究Ag@SiOx自组织颗粒的内部结构被引量：2
- 2018年
- 本文采用FIB辐照样品表面和FIB提取样品截面两种方法,尝试获取Ag@SiO_x自组织结构的内部结构信息,分别得到柱状结构和核壳结构两种完全不同的结果。其中提取截面的方法可以在保留样品初始形貌的同时获取真实内部结构信息,结合EDS能谱,可以确定,半球状SiO_x颗粒包覆在实心银椭球体上表面,Ag@SiO_x自组织结构是一种粒子包覆型核壳结构。有序柱状结构并不反映样品真实内部结构,其产生与离子束的选择性刻蚀有关。
- 赵慧张晓娜贾苗苗张泽
- 关键词：聚焦离子束自组织
- 一种新颖的低温硅片直接键合技术被引量：1
- 2005年
- 提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.
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- 关键词：等离子体
- 一种新颖的低温硅片直接键合技术
- 本文提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.
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- 关键词：微机电系统直接键合技术
- 文献传递
- 带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺
- 带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺，涉及半导体静电键合技术领域。现有技术在可动的结构对应的玻璃上淀积一层绝缘层，减少可动结构与玻璃衬底的“粘附”问题，无法消除静电力对可动结构的破坏作用。带有金属电极的玻璃置于恒温热台面上...
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- 文献传递
