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钱峰

作品数：7 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：中国电子科技集团公司创新基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 3篇射频
  • 3篇射频集成
  • 3篇射频集成电路
  • 3篇砷化镓
  • 3篇集成电路
  • 3篇放大器
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电路芯片
  • 2篇在片测试
  • 2篇芯片
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇集成电路芯片
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子集成
  • 2篇反应离子
  • 2篇反应离子刻蚀

机构

  • 7篇中国电子科技...

作者

  • 7篇钱峰
  • 4篇吴振海
  • 3篇徐光
  • 3篇陈新宇
  • 2篇焦世龙
  • 2篇叶玉堂
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇陈金远
  • 1篇杨乃彬
  • 1篇蒋幼泉
  • 1篇邵凯
  • 1篇李拂晓
  • 1篇沈宏昌
  • 1篇许正荣
  • 1篇陶洪琪
  • 1篇陈辰
  • 1篇徐波

传媒

  • 1篇微波学报
  • 1篇2010年全...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2008
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
射频测试用直流偏置探针卡
本发明是射频测试用直流偏置探针卡，其特征是包括一扇形探针卡基板，在探针卡基板上设有多个信号线路及接地线路，信号线路和信号线路相互间隔距上设有至少一个接地线路，有防止外部噪声干扰该信号线路的电性防护作用；接头安装位置为信号...
吴振海徐光钱峰
集成电路芯片的射频测试技术
射频测试是射频集成电路生产的关键技术。针对全面性能测试的要求,提出了用于射频IC的直流在片测试系统和小信号S参数测试系统,并完成了测试数据统计及成品率统计程序的编写。测试结果表明,该系统解决了射频芯片100%在片测试的技...
徐光吴振海陈金远钱峰陈新宇
关键词：射频集成电路在片测试
文献传递
移动通信砷化镓射频集成电路开发及产业化
李拂晓蒋幼泉杨乃彬陈新宇陈辰邵凯钱峰钮利荣许正荣吴振海徐中仓冯欧杨立杰
以中国电子科技集团公司第五十五研究所所现有砷化镓3英寸、0.5微米集成电路工艺线为依托，自主开发移动通信基站和手机用砷化镓射频集成电路，主要研究内容包括砷化镓标准工艺技术、工艺控制技术、批生产技术、射频产品的塑封技术、电...
关键词：
关键词：砷化镓射频集成电路移动通信
一种砷化镓基单片光电子集成接收机前端结构及制作方法
本发明是一种砷化镓基单片光电子集成接收机前端结构及其制作方法。针对通常采用共源-共栅结构作为增益单元的分布放大器，提出了包括栅传输线输入微带直线布局、漏传输线正反向终端微带阻抗调整、以及增益单元中电阻和若干微带线阻抗调整...
焦世龙陈堂胜叶玉堂钱峰
文献传递
GaN HEMT工艺的X波段发射前端多功能MMIC被引量：3
2017年
采用0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款X波段发射前端多功能MMIC,片上集成了一个单刀双掷(SPDT)开关和一个功率放大器电路。其中SPDT开关采用对称的两路双器件并联结构,功率放大器采用三级放大拓扑结构设计,电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率。测试结果表明,在8~12 GHz频带内,芯片发射通道饱和输出功率为38.6~40.2 d Bm,功率附加效率为29%~34.5%,其中开关插入损耗约为0.8 d B,隔离度优于-45d B。该芯片面积为4 mm×2.1 mm。
徐波戈勤沈宏昌陶洪琪钱峰
关键词：氮化镓功率放大器单刀双掷开关
一种砷化镓基单片光电子集成接收机前端结构及制作方法
本发明是一种砷化镓基单片光电子集成接收机前端结构及其制作方法。针对通常采用共源-共栅结构作为增益单元的分布放大器，提出了包括栅传输线输入微带直线布局、漏传输线正反向终端微带阻抗调整、以及增益单元中电阻和若干微带线阻抗调整...
焦世龙陈堂胜叶玉堂钱峰
集成电路芯片的射频测试技术
射频测试是射频集成电路生产的关键技术。针对全面性能测试的要求,提出了用于射频IC的直流在片测试系统和小信号S参数测试系统,并完成了测试数据统计及成品率统计程序的编写。测试结果表明,该系统解决了射频芯片100％在片测试的技...
徐光吴振海陈金远钱峰陈新宇
关键词：射频集成电路在片测试数据统计
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