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吕晋军

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇石墨
  • 5篇石墨烯
  • 5篇碳膜
  • 5篇层数
  • 3篇孔隙率
  • 3篇SUB
  • 2篇样片
  • 2篇CL
  • 2篇衬底
  • 1篇石英管
  • 1篇基底
  • 1篇SIC衬底
  • 1篇3C-SIC

机构

  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 5篇雷天民
  • 5篇张克基
  • 5篇邓鹏飞
  • 5篇郭辉
  • 5篇吕晋军
  • 5篇张玉明

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
以SiC为基底的石墨烯制备方法
本发明公开了以SiC为基底的石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、层数不均匀的问题。本发明中先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中；利用Ar气携带CCl<Sub>4</Sub>蒸...
郭辉吕晋军张玉明张克基邓鹏飞雷天民
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在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法
本发明公开了在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡，然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-S...
郭辉吕晋军张玉明张克基邓鹏飞雷天民
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基于Cl<Sub>2</Sub>反应的大面积石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cl<Sub>2</Sub>反应的大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。其实现过程是：(1)在4-12英寸的Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡；(2)在温度为...
郭辉吕晋军张玉明张克基邓鹏飞雷天民
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基于Cl<Sub>2</Sub>反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法
本发明公开了一种基于Cl<Sub>2</Sub>反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、层数不均匀的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中，...
郭辉吕晋军张玉明张克基邓鹏飞雷天民
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基于Cl<Sub>2</Sub>反应的大面积石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cl<Sub>2</Sub>反应的大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。其实现过程是：(1)在4-12英寸的Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡；(2)在温度为...
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