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韦超

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：农业科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇农业科学

主题

  • 8篇退火
  • 7篇样片
  • 6篇CU膜
  • 5篇石墨烯晶体管
  • 5篇氯气
  • 5篇晶体管
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 2篇碳膜
  • 2篇SIC衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇淀积
  • 1篇生物信息
  • 1篇生物信息学
  • 1篇酸铜
  • 1篇图形化
  • 1篇硫酸
  • 1篇硫酸铜
  • 1篇结构特征
  • 1篇介质击穿

机构

  • 9篇西安电子科技...

作者

  • 9篇韦超
  • 8篇雷天民
  • 8篇郭辉
  • 8篇张玉明
  • 6篇张克基
  • 5篇胡彦飞
  • 1篇赵艳黎
  • 1篇张晨旭
  • 1篇张丰

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2015
  • 6篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
基于Cu膜退火的SiC衬底上侧栅石墨烯晶体管制作方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC衬底上侧栅石墨烯晶体管制作方法，主要解决现有技术制作的石墨烯晶体管电子迁移率降低和栅介质引起顶层石墨烯屏蔽、介质击穿的问题。其实现步骤是：(1)清洗SiC样片；(2)在SiC样片上淀...
郭辉胡彦飞张玉明韦超雷天民张克基
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基于SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制作的石墨烯作为晶体管沟道材料进行光刻工艺时会引起损伤，导致电子迁移率下降的问题。其制作过程是：(1)对SiC样片进行清洗；(2)在...
郭辉韦超张玉明赵艳黎雷天民张克基
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基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性差及石墨烯器件载流子迁移率低等问题。其实现步骤是：在清洗后Si样片上生长碳化层进而形成3C-SiC薄膜；在3C-SiC...
郭辉韦超张玉明张克基雷天民胡彦飞
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基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性差及石墨烯器件载流子迁移率低等问题。其实现步骤是：在清洗后Si样片上生长碳化层进而形成3C-SiC薄膜；在3C-SiC...
郭辉韦超张玉明张克基雷天民胡彦飞
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基于Cu膜退火的SiC与氯气反应侧栅石墨烯晶体管制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC与氯气反应侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性差及顶栅结构晶体管沟道载流子迁移率降低等问题。其制作步骤是：在清洗后的SiC样片表面淀积SiO<Sub>2</S...
郭辉韦超张玉明张克基雷天民胡彦飞
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基于Ni膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯连续性不好、表面不光滑、层数不均匀的问题。其实现步骤是：先依次用氨水和双氧水的混合溶液、盐酸和双氧水的混合溶液对SiC衬底进...
郭辉张晨旭张玉明韦超雷天民
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基于结构特征和深度学习的基因预测方法研究
基因预测是基因组分析的重要内容之一,是理解基因调控与表达的关键环节。基因预测的准确度将直接影响后续的基因功能注释等任务的准确性。在很多情况下,鉴定基因功能的唯一办法是干扰目的基因来观测其对于表型的影响。然而,在过去的十年...
韦超
关键词：生物信息学基因预测结构特征
基于Ni膜退火和氯气反应的大面积石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火和氯气反应的大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯连续性不好、孔隙率高的问题。其制作步骤为：（1）在4英寸～12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡；（2）在温度为12...
郭辉张丰张玉明韦超雷天民
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基于Cu膜退火的SiC衬底上侧栅石墨烯晶体管制作方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC衬底上侧栅石墨烯晶体管制作方法，主要解决现有技术制作的石墨烯晶体管电子迁移率降低和栅介质引起顶层石墨烯屏蔽、介质击穿的问题。其实现步骤是：(1)清洗SiC样片；(2)在SiC样片上淀...
郭辉胡彦飞张玉明韦超雷天民张克基
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