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胡彦飞

作品数：34 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇石墨烯晶体管
  • 11篇退火
  • 11篇晶体管
  • 10篇样片
  • 10篇石墨
  • 10篇石墨烯
  • 9篇衬底
  • 8篇淀积
  • 7篇电阻
  • 7篇CU膜
  • 6篇电极
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇微电子
  • 6篇肖特基
  • 5篇氯气
  • 4篇氧化镓
  • 4篇栅介质
  • 4篇三氧化二铝
  • 4篇双栅
  • 4篇迁移率

机构

  • 34篇西安电子科技...

作者

  • 34篇胡彦飞
  • 27篇郭辉
  • 21篇张玉明
  • 16篇何艳静
  • 16篇袁昊
  • 15篇雷天民
  • 9篇张克基
  • 6篇汤晓燕
  • 6篇宋庆文
  • 5篇韦超
  • 3篇张晨旭
  • 1篇赵艳黎
  • 1篇刘杰
  • 1篇张丰
  • 1篇蒋树庆
  • 1篇郑重

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 6篇2021
  • 7篇2020
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 9篇2013
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法
本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入；在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在Si...
胡彦飞纪宇婷郭辉梁佳博何艳静袁昊王雨田
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一种新型异质结光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种新型异质结光电探测器及其制备方法，由碳化硅、单层石墨烯、氧化镓和电极组成，所述单层石墨烯设置于所述碳化硅与所述氧化镓之间，所述电极为两个，两个所述电极均与所述单层石墨烯接触连接。与现有技术相比，本发明采用...
胡彦飞兰志超郭辉王雨田袁昊何艳静
一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件
本发明涉及一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，包括：N+衬底区、N‑外延区、P‑阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、栅极，源极和漏极，其中，第二P+注入区与第一P+注入区间隔设置且深度一致，第一P+...
何艳静袁昊胡彦飞汤晓燕宋庆文张玉明
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一种SiC JBS二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种SiC JBS二极管器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、N‑外延层、P+注入区和阳极，两个所述P+注入区之间设置有沟槽结构；本发明在两个P+注入区之间的肖特基接触面...
袁昊刘延聪胡彦飞何艳静汤晓燕宋庆文张玉明
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以三氧化二铝为栅介质的双栅石墨烯晶体管及其制备方法
本发明公开了一种以三氧化二铝为栅介质的双栅石墨烯晶体管及其制备方法，主要解决现有技术制备中石墨烯晶体管顶栅电介质导致石墨烯沟道载流子迁移率降低以及载流子散射的问题。其结构特点是：石墨烯沟道两侧各设有一个栅电极，形成双栅结...
郭辉赵亚秋张玉明黄海栗雷天民胡彦飞
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一种导电沟道日盲光电探测器
本发明公开了一种导电沟道日盲光电探测器，包括碳化硅、氧化镓、外延生长石墨烯和电极，所述氧化镓为两层，所述外延生长石墨烯位于两层所述氧化镓之间，所述碳化硅位于其中一层所述氧化镓下，所述电极为两个，两个所述电极与另一层所述氧...
胡彦飞兰志超郭辉王雨田袁昊何艳静
一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法
本发明公开了一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面溅射Ni金属形成背面电...
胡彦飞纪宇婷梁佳博郭辉何艳静袁昊王雨田
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一种沟槽型SiC JBS二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种沟槽型SiC JBS二极管器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、N‑外延层、P+注入区和阳极，两个所述P+注入区之间设置有沟槽结构，在沟槽结构两侧与P+注入区之间分别...
袁昊刘延聪何艳静胡彦飞宋庆文汤晓燕张玉明
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一种SiC MPS二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种SiC MPS二极管器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、N‑外延层、P+注入区和阳极，其特征在于，两个所述P+注入区之间设置有沟槽结构，在沟槽结构两侧与P+注入区之...
何艳静刘延聪胡彦飞袁昊汤晓燕宋庆文张玉明
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硅衬底的三氧化二铝栅介质双栅石墨烯晶体管及制备方法
本发明公开了一种硅衬底的三氧化二铝栅介质双栅石墨烯晶体管及制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管沟道载流子迁移率低及载流子散射的问题。其实现步骤是：在外延于Si衬底上的3C‑SiC表面淀积一层Al<Sub>2</S...
郭辉赵亚秋张玉明黄海栗雷天民胡彦飞
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