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杨骋

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 9篇半导体
  • 9篇半导体技术
  • 6篇晶闸管
  • 3篇阴极
  • 2篇源区
  • 2篇运输通道
  • 2篇三层结构
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇脉冲放电
  • 2篇晶体管
  • 2篇绝缘栅
  • 2篇绝缘栅双极型...
  • 2篇控制器
  • 2篇控制器件
  • 2篇反向电流
  • 2篇饱和电流
  • 2篇PIN管
  • 2篇场控晶闸管
  • 1篇电压

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇杨骋
  • 9篇肖琨
  • 9篇张波
  • 9篇陈万军
  • 5篇程武
  • 3篇孙瑞泽
  • 2篇刘超
  • 2篇李震洋
  • 2篇古云飞

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种集成反向PIN管的MOS场控晶闸管及其制备方法
本发明涉及半导体技术，具体说的是涉及一种通过消除反向过冲电压来提升器件可靠性的MOS场控晶闸管。本发明的MOS场控晶闸管，在P型基区(5)上层设置有P型源区(1)，P型源区(1)与N型基区(4)连接并位于N型基区(4)远...
陈万军杨骋肖琨孙瑞泽张波
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一种FS-IGBT器件阳极的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种FS-IGBT器件阳极的制造方法。本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲...
陈万军肖琨王珣阳杨骋张波
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一种MOS栅控晶闸管
本发明涉及半导体技术，具体的说是设计一种MOS栅控晶闸管。本发明对P<Sup>+</Sup>阴极接触区10进行改进，增大了P<Sup>+</Sup>阴极接触区10的宽度，改变了冶金结形貌，减小了自阴极金属11流入的电子的...
陈万军肖琨程武杨骋王珣阳张波
6500V IGBT设计及动态特性研究
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高耐压、低正向导通压降、较快的开关速度和较低的关断损耗。这些特性使它成为一种较为理想的开关器件。伴随着智能电网、变频家电、轨道交通等方面的大力发展，国内IGBT的制造技术也日趋成熟。本文...
杨骋
关键词：绝缘栅双极型晶体管工艺参数动态特性
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一种集成反向PIN管的MOS场控晶闸管及其制备方法
本发明涉及半导体技术，具体说的是涉及一种通过消除反向过冲电压来提升器件可靠性的MOS场控晶闸管。本发明的MOS场控晶闸管，在P型基区(5)上层设置有P型源区(1)，P型源区(1)与N型基区(4)连接并位于N型基区(4)远...
陈万军杨骋肖琨孙瑞泽张波
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一种宽元胞绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。本发明的一种宽元胞绝缘栅双极型晶体管，其元胞结构包括由阳极9与阳极区5组成的阳极结构、位于阳极区5上的N型漂移区4和位于N型漂移区4上的栅极...
陈万军杨骋肖琨王珣阳张波
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一种MOS栅控晶闸管及其制造方法
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明将器件阴极改进为P型半导体基区和N型半导体源区组成的P-N结两层结构，相对于常规MGT阴极P-N-P三层结构，本发明的阴极P-N结两层结构使用两重扩散...
陈万军刘超古云飞程武李震洋肖琨杨骋张波
一种MOS栅控晶闸管
本发明涉及半导体技术，具体的说是设计一种MOS栅控晶闸管。本发明对P<Sup>+</Sup>阴极接触区10进行改进，增大了P<Sup>+</Sup>阴极接触区10的宽度，改变了冶金结形貌，减小了自阴极金属11流入的电子的...
陈万军肖琨程武杨骋王珣阳张波
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一种MOS栅控晶闸管的制造方法
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明将器件阴极改进为P型半导体基区和N型半导体源区组成的P‑N结两层结构，相对于常规MGT阴极P‑N‑P三层结构，本发明的阴极P‑N结两层结构使用两重扩散...
陈万军刘超古云飞程武李震洋肖琨杨骋张波
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一种MOS栅控晶闸管的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种MOS栅控晶闸管的制造方法。本发明的方法的主要步骤为：制备衬底；进行正面P型杂质离子注入，在N型漂移区上层形成P型掺杂层，所述P型掺杂层的浓度为不均匀的；在N型漂移区上层进行栅氧热...
陈万军肖琨程武杨骋王珣阳孙瑞泽张波
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