朱作明
- 作品数：11 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ⅱ-VI族半导体材料的光学性质研究
- 由于蓝绿光范围发光和激光器件发展的需要,宽带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其三元 混晶材料的研究引起人们的兴趣.该论文主要研究了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,主要是掺 氮ZnSe,Zn<,0.84>Mn<,0.16>Se/ZnSe...
- 朱作明
- 关键词：半导体材料光致发光特性
- 掺氮ZnSe外延层的光致发光研究被引量：2
- 1999年
- 报导了掺氮ＺｎＳｅ外延层的光致发光，研究了与氮受主有关的发光峰随温度和激发强度的变化关系．１０Ｋ下施主－受主对发光峰随激发强度的增加向高能方向移动，且峰强呈现饱和趋势．在１０～３００Ｋ温度范围光致发光谱表明，随着温度增加，由于激子在受主束缚激子态和施主束缚激子态之间转移。
- 朱作明刘南竹李国华韩和相汪兆平王善忠何力姬荣斌巫艳
- 关键词：光致发光束缚激子掺氮硒化锌外延层
- (n11)面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究
- 1999年
- 报道不同指数面（ｎ１１）上生长的Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ 和Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果．在背散射条件下不同的偏振配置下，观测到这些样品中对应的Ｌ０ 模和Ｔ０ 模的相对强度随着不同的指数面呈现出规律变化，同时把这一实验结果与（ｎ１１）指数面上生长的闪锌矿结构材料的喇曼散射选择定则的理论预计相比较。
- 张旺李国华朱作明陈晔韩和相汪兆平周伟孙中哲
- 关键词：喇曼散射半导体
- 温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转
- 1999年
- 测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格的１０～３００Ｋ 的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ 的带隙在１０Ｋ 时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金的带隙小，而在３００Ｋ 时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中在１３０Ｋ 附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中观测到了这种反转但发生在８０Ｋ 附近．超晶格中Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 层的应变可能是反转温度变低的原因．
- 李国华朱作明刘南竹韩和相汪兆平王杰王迅
- 关键词：超晶格势垒层温度ZNSE
- In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射被引量：2
- 1998年
- 报道了ＭＢＥ生长的Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果．光学声子模的频率与强度的组分关系表明Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中有３种光学声子模，即类ＩｎＡｓ、类ＧａＡｓ和类ＡｌＡｓ模．喇曼光谱的偏振分析表明３种光学声子在退偏振条件下是喇曼活性的，而在偏振条件下是喇曼非活性的．由于混晶中的无序效应，可观察到泄漏的ＴＯ模叠加在ＬＯ的低能侧使喇曼峰显现出非对称形状．
- 韩和相汪兆平李国华李国华丁琨徐仕杰丁琨
- 关键词：喇曼散射光学声子
- ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱
- 2003年
- 研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着
- 方再利苏付海马宝珊刘南竹朱作明丁琨韩和相李国华葛惟锟苏萌强
- 关键词：电子陷阱
- 生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究被引量：1
- 2001年
- 测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的 型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 As重空穴的 型跃迁 .高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动 ,认为它来源于量子点中 Γ能谷与价带之间的跃迁 .在压力下还观察到了一个新的与 X相关的发光峰 ,认为它与双轴应变引起的导带
- 陈晔李国华朱作明韩和相汪兆平周伟王占国
- 关键词：光致发光谱
- II－VI族半导体材料的光学性质研究
- 朱作明
- 关键词：光学性质
- 多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究
- 2000年
- 测量了自组织多层In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点的变温光致发光谱,同时观察到来自浸润层和量子点的发光,首次直接观察到了浸润层和量子点之间的载流子热转移.分析发光强度随温度的变化发现浸润层发光的热淬灭包括两个过程:低温时浸润层的激子从局域态热激发到扩展态,然后被量子点俘获;而温度较高时则通过势垒层的X能谷淬灭.利用速率方程模拟了激子在浸润层和量子点间的转移过程。
- 陈晔张旺李国华朱作明韩和相汪兆平周伟王占国
- 关键词：量子点光致发光
- MBE生长的In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs/InP四元混晶的拉曼散射
- 1997年
- ＭＢＥ生长的Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ／ＩｎＰ四元混晶的拉曼散射韩和相汪兆平李国华徐士杰刘南竹朱作明（中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京１０００８３）ＯｐｔｉｃａｌＰｈｏｎｏｎＲａｍａｎＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＩｎ１－ｘ－ｙＧ...
- 韩和相汪兆平李国华徐士杰刘南竹朱作明
- 关键词：MBE拉曼散射
