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陈家荣

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 2篇氮化镓
  • 2篇导体
  • 2篇低压化学气相...
  • 2篇电流集边效应
  • 2篇电子回旋共振
  • 2篇淀积
  • 2篇真空系统
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁层
  • 2篇屏蔽罩
  • 2篇气相淀积
  • 2篇外延法
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇巨磁阻
  • 2篇刻蚀

机构

  • 7篇中国科学院合...

作者

  • 7篇陈家荣
  • 6篇李新化
  • 6篇邱凯
  • 4篇尹志军
  • 4篇钟飞
  • 4篇王玉琦
  • 2篇姬长建
  • 2篇高理升
  • 2篇林新华
  • 2篇陈池来
  • 2篇陈文锦

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
巨磁阻磁传感器及其制备方法
本发明公开了一种巨磁阻磁传感器及其制备方法。传感器包括基片(1)和其上的绝缘层(2)、夹裹有导电层(5)的铁磁层(4)，特别是夹裹有导电层(5)的铁磁层(4)外套装有线圈(3)，线圈(3)和铁磁层(4)均由绝缘层(2)裹...
李新化邱凯尹志军钟飞姬长建陈家荣王玉琦林新华陈池来高理升
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具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法。二极管为衬底(1)上有氮化镓层(2)、正极、负极(3)和掩模(4)，正极含氮化镓铝层(8)、肖特基接触金属层(7)、多晶硅层(6)和...
陈家荣王玉琦陈文锦邱凯李新化
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AlGaN/GaN肖特基二极管的设计及关键工艺研究
随着半导体材料生长技术与器件制造技术的日益进步、特别是GaN和AlGaN分子束外延生长技术的日益完善，AlGaN/GaN基器件在半导体行业得到广泛的应用。然而，随着应用过程中的深入，这一类器件的弱点也逐渐暴露出来，而这些...
陈家荣
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巨磁阻磁传感器及其制备方法
本发明公开了一种巨磁阻磁传感器及其制备方法。传感器包括基片(1)和其上的绝缘层(2)、夹裹有导电层(5)的铁磁层(4)，特别是夹裹有导电层(5)的铁磁层(4)外套装有线圈(3)，线圈(3)和铁磁层(4)均由绝缘层(2)裹...
李新化邱凯尹志军钟飞姬长建陈家荣王玉琦林新华陈池来高理升
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用于超高真空系统的磁控溅射阴极靶
本发明公开了一种用于超高真空系统的磁控溅射阴极靶。它的上、下法兰(15，16)内置有相通的冷却水槽(13，9)，进、出水管(1，2)隔断冷却水槽(9)且与其相焊接，上法兰(15)上端部与靶材安装罩(12)旋接、腔体中置有...
李新化邱凯尹志军钟飞陈家荣
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用于超高真空系统的磁控溅射阴极靶
本发明公开了一种用于超高真空系统的磁控溅射阴极靶。它的上、下法兰(15，16)内置有相通的冷却水槽(13，9)，进、出水管(1，2)隔断冷却水槽(9)且与其相焊接，上法兰(15)上端部与靶材安装罩(12)旋接、腔体中置有...
李新化邱凯尹志军钟飞陈家荣
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金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法。二极管为衬底(1)上有氮化镓层(2)、正极、负极(3)和掩模(4)，正极含氮化镓铝层(8)、肖特基接触金属层(7)、多晶硅层(6)和...
陈家荣王玉琦陈文锦邱凯李新化
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