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韩伟华

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇发光
  • 2篇发光管
  • 2篇辐射发光
  • 2篇半导体
  • 2篇超辐射
  • 2篇超辐射发光管
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇短波长
  • 1篇增益
  • 1篇折射率
  • 1篇功率
  • 1篇GAALAS
  • 1篇波长
  • 1篇高功率

机构

  • 2篇吉林大学

作者

  • 2篇赵永生
  • 2篇宋俊峰
  • 2篇高鼎三
  • 2篇李雪梅
  • 2篇杜国同
  • 2篇韩伟华
  • 1篇付艳萍
  • 1篇姜秀英

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源
1998年
为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。
赵永生杜国同韩伟华付艳萍李雪梅宋俊峰姜秀英高鼎三Gregory DevaneKathleen A.StairR.P.H.Chang
关键词：超辐射发光管单片集成半导体
半导体超辐射发光管自发发射因子的估算被引量：2
1999年
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数，在以往对超辐射发光管的特性分析，特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时，多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子，由于两者的光输出特性不同，这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱，而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差。对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论，提出了平均自发发射因子的概念，并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较。
赵永生宋俊峰韩伟华李雪梅杜国同高鼎三
关键词：超辐射发光管增益折射率半导体
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