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周迁

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇氧化层
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇迁移率
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇本征
  • 2篇ALGAN/...
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅基
  • 1篇频率特性
  • 1篇终端
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率
  • 1篇功率IGBT
  • 1篇功率半导体
  • 1篇功率半导体器...
  • 1篇硅基
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇半导体

机构

  • 3篇东南大学

作者

  • 3篇周迁
  • 2篇孙伟锋
  • 2篇时龙兴
  • 2篇陆生礼
  • 2篇刘斯扬
  • 1篇王宁
  • 1篇任晓飞

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
15kV碳化硅基功率IGBT器件设计
第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiliconCarbide,SiC)有优异的性能,尤其是高临界击穿电场和高导热性,使其成为功率器件中最有吸引力的材料。15kV碳化硅基IGBT(Insulated Gate Bipolar...
周迁
关键词：碳化硅IGBT终端
文献传递
一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层；在所述AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，所述...
刘斯扬周迁王宁魏家行孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种AlGaN/GaN高电子迁移率功率半导体器件
一种AlGaN/GaN高电子迁移率功率半导体器件，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，所述栅...
刘斯扬魏家行周迁任晓飞孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
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