张轩硕
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：沈阳理工大学理学院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 锌掺杂包覆状氮化镓纳米线的制备及表征
- 2016年
- 采用化学气相沉积法在石英衬底上沉积出锌掺杂的GaN纳米线。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱仪（EDS）和拉曼光谱（Raman）对锌掺杂GaN纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明：锌掺杂后GaN纳米线的XRD图谱向低角度方向移动,衍射峰更加明显。锌掺杂Ga N纳米线存在一层包覆结构,纳米线的直径范围约为300~500 nm,包覆层的厚度在150~200 nm。锌掺杂GaN纳米线的Raman光谱在E2（high）和A1（LO）出现了微小的红移。最后对包覆结构的可能形成机理进行了探讨。
- 吴丽君李林虎张勃张轩硕宋建宇沈龙海
- 关键词：化学气相沉积GAN纳米线
- 磁控溅射制备五氧化二钒薄膜及其透射率研究
- 2016年
- 采用直流磁控溅射方法在普通玻璃衬底上制备五氧化二钒薄膜。研究氧氩比、溅射功率、衬底温度和溅射时间对氧化钒薄膜结构的影响。XRD测试结果表明,实验均制得了纯相的五氧化二钒,没有出现其他的钒氧化物相。对制备的薄膜进行了透射率测试,并对结果做了分析。结果显示,在室温下,溅射功率为250W,溅射时间为10min,氧氩比为1∶100的条件下,薄膜的结晶度最好且具有较高的透射率。
- 张勃李林虎张轩硕邓年捷沈龙海
- 关键词：直流磁控溅射XRD透射率
- AlN微晶棒的的制备及光致发光性能研究被引量：3
- 2016年
- 采用直流电弧放电方法,在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱等测试手段对所制备样品进行表征和发光性能的研究。结果表明:所制备的Al N微晶棒长度约为30μm,直径约为10μm。在AlN微晶棒的PL谱中,有两个主要发光峰,中心在430 nm的发射源于VN和(V_(Al)-O_N)^(2-)构成的深施主-深受主对缺陷发光,中心在650 nm的发射源于VAl形成的深受主能级到价带的缺陷发光。在激发波长由270 nm逐渐增大到300 nm的过程中发现,Al N微晶棒波长在430 nm处的发光峰先增强后减弱,在激发波长为285 nm时强度最大;650 nm处的发光峰随激发波长增大而逐渐增强。
- 沈龙海张轩硕
- 关键词：光致发光
