您的位置: 专家智库 > >

张勃

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:沈阳理工大学理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金辽宁省高等学校优秀人才支持计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓纳米线
  • 2篇气相沉积
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇GAN纳米线
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇石英
  • 1篇透射
  • 1篇透射率
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇无催化剂
  • 1篇化学气相沉积...
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇包覆

机构

  • 3篇沈阳理工大学

作者

  • 3篇沈龙海
  • 3篇李林虎
  • 3篇张勃
  • 2篇张轩硕
  • 1篇吴丽君
  • 1篇宋建宇

传媒

  • 1篇沈阳理工大学...
  • 1篇桂林理工大学...
  • 1篇井冈山大学学...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于无催化剂化学气相沉积法的氮化镓纳米线制备和表征被引量:2
2015年
采用化学气相沉积法,通过金属镓和氨气的直接反应,在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用XRD和SEM对制备的GaN纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明合成的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,直径为100~200 nm,长度达几微米,GaN纳米线的生长符合VLS生长模型。室温PL光谱表明GaN纳米线在395 nm和566 nm的发光峰主要与Ga空位或者N空位引起的缺陷能级相关。
李林虎张勃沈龙海
关键词:石英GAN纳米线
磁控溅射制备五氧化二钒薄膜及其透射率研究
2016年
采用直流磁控溅射方法在普通玻璃衬底上制备五氧化二钒薄膜。研究氧氩比、溅射功率、衬底温度和溅射时间对氧化钒薄膜结构的影响。XRD测试结果表明,实验均制得了纯相的五氧化二钒,没有出现其他的钒氧化物相。对制备的薄膜进行了透射率测试,并对结果做了分析。结果显示,在室温下,溅射功率为250W,溅射时间为10min,氧氩比为1∶100的条件下,薄膜的结晶度最好且具有较高的透射率。
张勃李林虎张轩硕邓年捷沈龙海
关键词:直流磁控溅射XRD透射率
锌掺杂包覆状氮化镓纳米线的制备及表征
2016年
采用化学气相沉积法在石英衬底上沉积出锌掺杂的GaN纳米线。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)和拉曼光谱(Raman)对锌掺杂GaN纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明:锌掺杂后GaN纳米线的XRD图谱向低角度方向移动,衍射峰更加明显。锌掺杂Ga N纳米线存在一层包覆结构,纳米线的直径范围约为300~500 nm,包覆层的厚度在150~200 nm。锌掺杂GaN纳米线的Raman光谱在E2(high)和A1(LO)出现了微小的红移。最后对包覆结构的可能形成机理进行了探讨。
吴丽君李林虎张勃张轩硕宋建宇沈龙海
关键词:化学气相沉积GAN纳米线
共1页<1>
聚类工具0