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王冰心

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：上海应用技术学院材料科学与工程学院更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目上海市人才发展基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇砷化镓晶体
  • 2篇坩埚下降法
  • 2篇下降法
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇掺杂
  • 1篇浓度值
  • 1篇坩埚下降法生...
  • 1篇结构性能
  • 1篇GAAS晶体

机构

  • 3篇上海应用技术...

作者

  • 3篇徐家跃
  • 3篇金敏
  • 3篇王冰心
  • 2篇房永征

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇2014`全...

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
GaAs1-xBix薄膜的制备、结构及性能研究进展
本文主要介绍了利用金属有机化学气相沉积法和分子束外延法生长的Bi掺杂GaAs薄膜的研究进展，通过建立物理模型模拟分析了Bi掺杂对GaAs能带调控的机制，并与之前研究的N掺杂GaAs的性能进行对比分析，借助于荧光光谱和霍尔...
王冰心徐家跃金敏
关键词：结构性能
文献传递
GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应被引量：2
2015年
作为第二代半导体材料,Ga As晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺。本文总结了Ga As晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,重点报道了Ga As晶体坩埚下降法生长的研究成果。坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点,已成为Ga As晶体产业化的重要途径。掺杂不仅能调节Ga As晶体的性能,还会对晶体生长产生重要影响。本文还给出了Bi、Si、Zn等掺杂Ga As晶体生长结果,探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用。
徐家跃王冰心金敏房永征
关键词：坩埚下降法晶体生长砷化镓晶体掺杂
铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究被引量：1
2015年
使用<511>取向Ga As籽晶,在直径2英寸的p BN坩埚中生长了2.5%Bi掺杂的Ga As晶体。能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到Ga As晶体中。X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42″。与未掺杂Ga As晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43 e V移至近1.39 e V。扫面式电子显微镜(SEM)显示晶体中存在少量富Bi包裹物,晶体质量有待进一步改进。
王冰心徐家跃金敏何庆波房永征
关键词：坩埚下降法晶体生长砷化镓晶体
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