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王庶民

作品数:69 被引量:0H指数:0
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领域

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地区

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50 条 记 录,以下是 1-10
李耀耀
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:激光器 分子束外延 腔面 量子级联激光器 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋禹忻
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:半导体材料 分子束外延 晶格常数 锗 单片集成
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龚谦
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:分子束外延 量子点激光器 激光器 衬底 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张立瑶
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:分子束外延 金属有机物化学气相沉积 磷化物 材料工艺 不兼容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾溢
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:分子束外延 INGAAS INP基 缓冲层 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张振普
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:锗 晶格常数 量子点 不兼容 MBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王凯
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:分子束外延 光电探测器 化合物半导体 金属有机物化学气相沉积 INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹春芳
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:垂直腔面发射激光器 量子点激光器 分子束外延 腔面 INAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
狄增峰
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 绝缘体 衬底 锗 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘文武
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:衬底材料 掺杂 GSMBE 铋 半导体量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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