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张震

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

  • 10个江苏省
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李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪浩
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC_MESFET 金属半导体场效应管 宽禁带半导体 碳化硅 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张涛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC_MESFET 金属半导体场效应管 宽禁带半导体 MESFET 微波功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：东南大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵凯
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 射频开关 微波功率器件 GAAS_PHEMT 手机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：4H-SIC SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS PHEMT 孤子解 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈刚
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李哲洋
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC SIC_MESFET MESFET SIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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