郑伟
- 作品数：10 被引量：6H指数：2
- 供职机构：深圳大学光电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划深圳市科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程文化科学更多>>
- 偏振拉曼实验技术研究
- 2014年
- 拉曼光谱技术作为常用的表征和测试分析手段,已被广泛的应用。本文设计搭建了基于激光显微共聚焦拉曼光谱仪的偏振拉曼光谱测试系统,将入射激光和拉曼散射的偏振引入拉曼光谱测试系统中。应用该实验平台,测试物理气相传输(PVT)法制备的4H-SiC样品,结果表明其拉曼光谱强度具有旋转偏振变化规律。本文所设计的系统将为偏振拉曼的研究提供实验基础,也为相关材料的分析提供技术保障。
- 李发帝段国韬郑伟
- 关键词：拉曼光谱偏振
- 碳硅共掺杂P型AlN的光电性能研究
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟
- 关键词：掺杂ALN
- 氮化铝晶针尺寸效应的拉曼散射研究
- 利用拉曼散射的方法研究了AlN晶针在不同直径(9.5tm≤d≤45.9μm)处光学声子E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)的振动行为。因为拉曼信号的散射截面会随着AIN晶针直径的增加而增加，使得拉曼探...
- Wei Zheng郑伟Hong Lei Wu武红磊Fa Di Li李发帝Rui Sheng Zheng郑瑞生
- 关键词：半导体材料尺寸效应拉曼散射
- 碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究
- 2013年
- 在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和C 1s的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主。样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物V N-C N和C N-Si Al。
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟
- 关键词：光致发光掺杂半导体材料ALN
- 氮化铝晶针尺寸效应的拉曼散射研究
- 利用拉曼散射的方法研究了ALN晶针在不同直径(9.5TM≤ D ≤ 45.9μM)处光学声子E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)的振动行为.因为拉曼信号的散射截面会随着AIN晶针直径的增加而增加，...
- 郑伟武红磊李发帝郑瑞生
- 关键词：拉曼散射声子
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- 升华法生长氮化铝晶体的热场分析被引量：2
- 2013年
- 本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响。结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小;原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低。通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场。
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟徐百胜
- 关键词：升华温度场有限元
- 温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响被引量：4
- 2012年
- 研究升华法制备氮化铝晶体过程中,生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响.结果表明,当升华区与结晶区之间的温差较大时,氮化铝晶体的生长方向为c轴方向,显露面为c面;反之,温差较小时,氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向,显露面为m面.同时,生长区域温度场分布还影响晶体的生长尺寸和质量.在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中,通过精确控制升华区与结晶区之间的温度场,实现厘米级m面非极性氮化铝单晶体的制备,并对样品进行测试分析.
- 武红磊郑瑞生闫征李萌萌郑伟
- 关键词：半导体材料氮化铝温度场晶体生长
- 氮化铝单晶的偏振Raman光谱研究
- 氮化铝(AlN)可以实现波长短至210 nm的电致发光,能广泛地应用于数据存储、生物检测以及紫外杀菌等。近年来,不断提高的A1N单晶制备技术促进了A1N在以上应用中的迅速发展。本文利用激光共聚焦偏振Raman光谱研究了A...
- 郑伟武红磊李发帝郑瑞生
- SiC衬底上物理气相传输法制备AlN晶体的研究
- 在碳化硅(SiC)衬底上通过物理气相传输(PVT)法制备出氮化铝晶体。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)和能量色散光谱(EDS)等手段对制备出的样品进行分析测试。同时,再结合碳化硅和氮化铝的物理、化学特性以...
- 武红磊郑瑞生刘文郑伟
- 关键词：SIC衬底
- Alq_3发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响
- 2010年
- 文章以MoO3为空穴注入层,NPB为空穴传输层,改变发光/电子传输层Alq3的厚度,考察了器件电学和光学性能的变化。结果表明,随着Alq3层增加厚度,器件的电流逐步减小,由此获得Alq3薄膜的电场分布情况;器件发光光谱有少量红移,但长波端明显展宽,短波端强度下降。该文拟合了器件电致发光谱,与实验曲线吻合较好。同时拟合结果也表明,干涉效应主要影响光谱在长波端的强度分布,发光区域分布决定光谱在短波端的强度分布。
- 连加荣廖巧生杨瑞博郑伟曾鹏举
- 关键词：有机发光二极管电致发光光谱
