李萌萌
- 作品数：12 被引量：10H指数：2
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- 碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究
- 2013年
- 在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和C 1s的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主。样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物V N-C N和C N-Si Al。
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟
- 关键词：光致发光掺杂半导体材料ALN
- 升华法生长氮化铝晶体的热场分析被引量：2
- 2013年
- 本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响。结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小;原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低。通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场。
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟徐百胜
- 关键词：升华温度场有限元
- 一种制备P型氮化铝晶体的方法
- 本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种制备P型氮化铝晶体的方法。本发明提供一种制备P型氮化铝晶体的方法，该方法以碳和硅(其中，碳为受主，硅为施主)作为共掺杂元素，采用独特的工艺，可以实现高空穴浓度P型氮化铝晶体的制备。该方...
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- 文献传递
- 碳硅共掺杂P型AlN的光电性能研究
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟
- 关键词：掺杂ALN
- 一种制备非极性面氮化铝材料的工艺方法
- 本发明属于材料制备领域，提供一种制备非极性面氮化铝材料的工艺方法，主要通过控制生长温度以及生长装置中坩埚顶与坩埚体的温度差，实现高质量非极性面氮化铝材料的制备。具体制备过程包括：(1)物料预处理对氮化铝物料在氮气气氛中进...
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征
- 文献传递
- 温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响被引量：4
- 2012年
- 研究升华法制备氮化铝晶体过程中,生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响.结果表明,当升华区与结晶区之间的温差较大时,氮化铝晶体的生长方向为c轴方向,显露面为c面;反之,温差较小时,氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向,显露面为m面.同时,生长区域温度场分布还影响晶体的生长尺寸和质量.在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中,通过精确控制升华区与结晶区之间的温度场,实现厘米级m面非极性氮化铝单晶体的制备,并对样品进行测试分析.
- 武红磊郑瑞生闫征李萌萌郑伟
- 关键词：半导体材料氮化铝温度场晶体生长
- 一种制备P型氮化铝晶体的方法
- 本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种制备P型氮化铝晶体的方法。本发明提供一种制备P型氮化铝晶体的方法，该方法以碳和硅(其中，碳为受主，硅为施主)作为共掺杂元素，采用独特的工艺，可以实现高空穴浓度P型氮化铝晶体的制备。该方...
- 武红磊郑瑞生闫征郑伟李萌萌
- 文献传递
- 一种升华法制备氮化铝晶体的生长装置
- 本发明属于晶体制备领域，提供了一种升华法制备氮化铝晶体的生长装置，实现大尺寸、高质量氮化铝单晶体的生长工艺条件。本发明的具体内容包括：(a)一种升华法制备氮化铝晶体的生长装置，由主加热器、顶加热器、侧屏蔽层、顶屏蔽层和底...
- 武红磊郑瑞生徐百胜闫征郑伟李萌萌
- 文献传递
- 一种制备非极性面氮化铝材料的工艺方法
- 本发明属于材料制备领域，提供一种制备非极性面氮化铝材料的工艺方法，主要通过控制生长温度以及生长装置中坩埚顶与坩埚体的温度差，实现高质量非极性面氮化铝材料的制备。具体制备过程包括：(1)物料预处理对氮化铝物料在氮气气氛中进...
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征
- 文献传递
- AlN晶体生长系统的温度场分析
- 采用有限元法模拟了物理气相传输法(PVT)制备大尺寸AIN晶体的温度场，应用ANSYS软件对比研究了在不同实验条件下生长系统的温度场分布情况。模拟结果表明：最高温度在坩埚上，并位于感应线圈的几何中心处。物料与结晶体之间的...
- Mengmeng Li李萌萌Honglei Wu武红磊Ruisheng Zheng郑瑞生
- 关键词：半导体材料数值模拟
- 文献传递
