闫征
- 作品数：16 被引量：16H指数：2
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- 一种制备P型氮化铝晶体的方法
- 本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种制备P型氮化铝晶体的方法。本发明提供一种制备P型氮化铝晶体的方法，该方法以碳和硅(其中，碳为受主，硅为施主)作为共掺杂元素，采用独特的工艺，可以实现高空穴浓度P型氮化铝晶体的制备。该方...
- 武红磊郑瑞生闫征郑伟李萌萌
- 温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响被引量：5
- 2012年
- 研究升华法制备氮化铝晶体过程中,生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响.结果表明,当升华区与结晶区之间的温差较大时,氮化铝晶体的生长方向为c轴方向,显露面为c面;反之,温差较小时,氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向,显露面为m面.同时,生长区域温度场分布还影响晶体的生长尺寸和质量.在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中,通过精确控制升华区与结晶区之间的温度场,实现厘米级m面非极性氮化铝单晶体的制备,并对样品进行测试分析.
- 武红磊郑瑞生闫征李萌萌郑伟
- 关键词：半导体材料氮化铝温度场晶体生长
- 一种制备P型氮化铝晶体的方法
- 本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种制备P型氮化铝晶体的方法。本发明提供一种制备P型氮化铝晶体的方法，该方法以碳和硅(其中，碳为受主，硅为施主)作为共掺杂元素，采用独特的工艺，可以实现高空穴浓度P型氮化铝晶体的制备。该方...
- 武红磊郑瑞生闫征郑伟李萌萌
- 碳硅共掺杂P型AlN的光电性能研究
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟
- 关键词：掺杂ALN
- Li-O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究被引量：1
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了Li-O共掺杂纤锌矿AlN体系的晶格结构、电子态密度、能带结构和光学性质,较详细地分析了O对Li掺杂AlN晶体p型特性的影响。结果表明:Li-O共掺杂会导致AlN晶格收缩和禁带宽度减小;与Li单掺杂相比,O杂质的加入使得价带顶部的态密度峰值减小且局域化加强,降低了Li在AlN晶体中的受主特性。相较于未掺杂时的情况,Li-O共掺杂AlN的介电函数虚部谱只保留了位于7.5 eV处的主峰,谱线也变得更加平缓,而材料的吸收区范围未受到影响。Li-O共掺杂后的AlN材料依然能很好地工作在紫外光区域。
- 闫征郑瑞生武红磊
- 关键词：ALN第一性原理态密度光学性质
- Na:O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究
- 2015年
- 基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,分别研究了Al N在Na单掺杂和Na:O共掺杂情况下的晶格结构、电子态密度及能带结构。计算结果表明:Na单掺杂Al N和Na:O共掺杂Al N均为直接带隙半导体材料,且表现出p型掺杂特性;相比于本征Al N晶体,两者的晶格结构均膨胀,而Na:O共掺杂相对Na单掺杂Al N晶格膨胀较小;Na单掺杂Al N的价带顶态密度具有较强的局域化特性,不利于掺杂浓度的提高;与Na单掺杂Al N相反,Na:O共掺杂Al N的价带顶态密度局域化特性明显减弱,受主能级变浅,有利于Al N的p型掺杂。
- 徐百胜闫征武红磊郑瑞生
- 关键词：氮化铝第一性原理电子结构P型掺杂
- 氮化铝掺杂的第一性原理研究与体单晶的制备
- 氮化铝(Al N)晶体作为第三代半导体材料的典型代表,是发展新型光电器件的理想材料。由于大尺寸、高质量的Al N体单晶材料难以制备,人们对Al N晶体性质的研究(特别是掺杂对其特性影响的研究)相对缺乏,阻碍了Al N基新...
- 闫征
- 关键词：氮化铝第一性原理计算P型掺杂光学性质
- 碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究被引量：1
- 2013年
- 在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和C 1s的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主。样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物V N-C N和C N-Si Al。
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟
- 关键词：光致发光掺杂半导体材料ALN
- 基于LED技术的红外医疗服
- 实用新型一基于LED技术的红外医疗服，涉及红外线医学治疗领域，尤其涉及基础护理和外科护理的治疗设备。现有的红外线治疗仪存在工作温度高、电压高、体积大、价格昂贵以及不能适宜于各个人群的缺点。本实用新型提供基于LED技术的红...
- 梁逸武红磊闫征郑瑞生徐百胜贺姝慜廖巧玲
- 碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析被引量：2
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法,研究了C∶Si共掺杂纤锌矿AlN晶体的32原子超胞体系,得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质,在此基础上分析了C∶Si共掺杂实现AlN晶体p型掺杂的机理。在AlN晶体的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,会形成C-Si复合物,但施主和受主杂质相互补偿致使自由载流子浓度较低;当提高C的掺杂浓度时,会形成C2-Si,C3-Si等复合物,这些复合物的生成能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度。分析表明:C∶Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体。
- 闫征武红磊郑瑞生
- 关键词：ALN第一性原理共掺杂电子结构
