武红磊
- 作品数：92 被引量：42H指数：5
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金深圳市科技计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 物理气相法制备AlN晶体
- 2007年
- 研究了物理气相法制备AlN晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,AlN晶体的形态从晶须过渡到棱形晶粒.温度高于1950℃时,才能制备出颗粒状.AlN晶体.同时,研究了过饱和压对晶体生长的影响.目前,已经制备出直径为1mm的高质量的六棱柱形的.AlN单晶,最大的单晶体的直径达2mm.
- 武红磊郑瑞生孙秀明
- 关键词：生长温度
- 基于GSM/GPS技术的智能报警饰品
- 本实用新型属于可穿戴设备领域，提供了基于GSM/GPS技术的智能报警饰品，为解决现有的便携式、可穿戴式报警设备报警方式欠缺隐秘性和独立性的问题。本实用新型由饰品外壳(1)、压力传感系统(2)、集成控制系统(3)、弹力垫片...
- 庄志贤武红磊郑瑞生梁逸徐百胜
- Na:O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究
- 2015年
- 基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,分别研究了Al N在Na单掺杂和Na:O共掺杂情况下的晶格结构、电子态密度及能带结构。计算结果表明:Na单掺杂Al N和Na:O共掺杂Al N均为直接带隙半导体材料,且表现出p型掺杂特性;相比于本征Al N晶体,两者的晶格结构均膨胀,而Na:O共掺杂相对Na单掺杂Al N晶格膨胀较小;Na单掺杂Al N的价带顶态密度具有较强的局域化特性,不利于掺杂浓度的提高;与Na单掺杂Al N相反,Na:O共掺杂Al N的价带顶态密度局域化特性明显减弱,受主能级变浅,有利于Al N的p型掺杂。
- 徐百胜闫征武红磊郑瑞生
- 关键词：氮化铝第一性原理电子结构P型掺杂
- 一种用升华法制备氮化铝晶体的保温装置
- 本发明涉及一种用升华法制备氮化铝晶体的保温装置，它由带孔的氮化铝板、氮化铝圆环、氮化铝粉、有缝的钨环、钨片、圆筒组成。带孔的氮化铝板和氮化铝圆环均由氮化铝粉经压力成形后高温烧结而成，主要用于减少坩埚向上的热辐射以及对流损...
- 武红磊郑瑞生
- 操作界面可图形化编辑的无线控制系统
- 本实用新型涉及网络通信领域、网页设计领域及单片机控制领域，尤其涉及工业控制及智能控制领域。本实用新型公开操作界面可图形化编辑的无线控制系统，可以实现用户通过图形化编辑界面定制自己的操作页面，同时免去预装APP的繁杂过程。...
- 陈冉武红磊郑瑞生
- 坩埚形状对氮化铝晶体生长的影响
- 武红磊郑瑞生孙秀明
- 一种采用气相传输制备氮化铝晶体的方法
- 本发明属于晶体生长技术领域，具体为一种采用气相传输制备氮化铝晶体的方法，包括以下步骤：首先将氮化铝原料固定于坩埚内壁四周，使其围成一晶体生长腔，将氮化铝籽晶固定于坩埚内晶体生长腔中间位置；将已装配好氮化铝原料和氮化铝籽晶...
- 金雷武红磊覃佐燕李文良
- 自发籽晶法制备氮化铝晶体的装置及工艺
- 本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种制备氮化铝晶体的装置及对应的工艺。本发明提供自发籽晶法制备氮化铝晶体的装置及工艺。该制备装置包括感应加热线圈、保温层、坩埚装置和坩埚升降装置，其中，坩埚装置由坩埚体、坩埚盖和盖片组成，...
- 武红磊郑瑞生
- 一种控制氮化铝原料稳定升华的晶体制备装置
- 本实用新型公开一种控制氮化铝原料稳定升华的晶体制备装置。该晶体制备装置包括坩埚本体、坩埚盖、片状结构件以及导流件；坩埚盖盖设于坩埚本体上；片状结构件放置于坩埚本体中部并将坩埚本体的内腔分隔为在竖直方向上排布且相互连通的原...
- 武红磊李文良覃佐燕金雷
- 测控技术与仪器专业改造升级与特色化建设实践
- 2025年
- 深圳大学推进了测控技术与仪器专业的全面深化改革,打造了融合大数据、人工智能、物联网等现代信息技术的新时代测控专业。强化了专业办学特色,形成了智能感知、物联网传感、计算机测控3个特色方向;构建了适应“新工科”及“双区建设”的测控专业人才培养体系;开创了“课程实验+竞赛培育+学科竞赛+企业实践+科研实践”多层次的创新科研与实践培养体系,夯实了专业特色化建设基础。
- 蔡厚智田勇张跃强田劲东武红磊刘晓利向利娟
- 关键词：测控技术与仪器
